壓敏電阻采購,就選源林電子,自有工廠
壓敏電壓U1mA
壓敏電阻的電流為1mA時所對應(yīng)的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標(biāo)準(zhǔn),該電壓用U1mA表示,稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū)轉(zhuǎn)折點的一個參數(shù),一般情況下是一般情況下是1mA(Φ5 產(chǎn)品為0.1mA)直流電流通過時,產(chǎn)品的兩端的電壓值,其偏差為±0.1%。
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壓敏電阻連續(xù)工作電壓壽命,即壓敏電阻在規(guī)定環(huán)境和系統(tǒng)電壓條件下應(yīng)能可靠地工作規(guī)定的時間(h)。由于壓敏電阻總是承受著穩(wěn)態(tài)工作電壓應(yīng)力的作用,壓敏電阻的壽命是與漏電流密切相關(guān)的。在不發(fā)生機(jī)械或其他電氣性能失效的情況下,壓敏電阻的壽命主要由漏電流IR(密度JR)及其溫度、電壓和時間的上升情況所決定。隨著漏電流IR(密度JR)升高,發(fā)熱量增大,若這個能量不能散失,元件的溫度會很快上升,這種元件在維持一段初始穩(wěn)定狀態(tài)后,終將達(dá)到熱失控(擊穿)的溫度而結(jié)束其使用壽命。
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壓敏電阻交流作用下的老化機(jī)理
交流作用下。在正半周時,假設(shè)右側(cè)為正極性,電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上,使右側(cè)的Zni向晶界遷移,而左側(cè)所加電壓很低,Zn
i向晶粒內(nèi)遷移不大;在負(fù)半周,電壓主要加在左側(cè),使左側(cè)Zni向晶界遷移,右側(cè)這時所加電壓很低,Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。
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