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ZnO晶相位于晶粒體內，為低電阻率的半導體，對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜，有大量的導電電子存在，為n型半導體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩定尖晶石相的作用，高溫冷卻時，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成，850℃時達到峰值，約950℃時消失，

反應式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于壓敏電阻型號太多，篇幅有限，恕不一一呈現，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯系，謝謝！

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預擊穿區：是指在此區域內，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，其導電屬于熱激發電子電導機理。因此，壓敏電阻器相當于一個10MΩ以上的絕緣電阻，這時通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級，可看作為開路。該區域是電路正常運行時壓敏電阻器所處的狀態。

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ZnO壓敏電阻器是一類電阻值與外加電壓成顯著的非線性關系的半導體陶瓷，其U-I特性關系式:

                                                           I=(U/C)α

ZnO壓敏電阻器常用的性能參數有壓敏電壓漏電流、非線性系數、通流值、能量耐量、限制電壓比等，其中壓敏電壓、漏電流、非線性系數表示了壓敏電阻器的小電流特性，通流值、能量耐量、限制電壓比則表示的是峰值電流特性。

此外，表征壓敏元件性能參數還有電壓溫度系數，固有電容等。

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