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老化機理:
曾經被認為是老化的起因的有電子陷阱,偶極子轉向,氧脫附和離子遷移,目前能證實的只有填隙鋅離子遷移。一般認為老化是晶界現象,是由于耗盡層內離子遷移,而Zni是主要的遷移離子。
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非線性區域:
中電場區為非線性區域,也是壓敏電阻器應用中重要的區域,導電機理主要是隧道電流及空穴生成降低勢壘。如只考慮隧道效應J = J0exp(-λ/E),λ為3π(2m)1/2φ3/2/2he,E為耗盡層中的電場強度,算出的a值低于50。
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壓敏電阻的物理特性:
ZnO 壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現象,即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數電荷載流子(電子)的勢壘。認 為肖特基勢壘像 ZnO 微結構中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷(電子捕獲)是由晶界面兩側晶粒的耗盡 層的正電荷來補償的。熱電子發射和隧道效應是主要的傳 輸機制。 近發展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩電壓應力下,壓敏電阻的穩定性上取得了很大進展。
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