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預擊穿區:是指在此區域內,施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓,其導電屬于熱激發電子電導機理。因此,壓敏電阻器相當于一個10MΩ以上的絕緣電阻,這時通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級,可看作為開路。該區域是電路正常運行時壓敏電阻器所處的狀態。
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殘壓比KR
通過壓敏電阻器的電流為某一值時,在它兩端所產生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標稱電壓之比。
殘壓比KR的定義公式為:
KR =UR/UN
殘壓比可以比較直觀地反應出壓敏電阻限制過電壓的能力,在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應用,在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標準電性能參數。
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氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導體陶瓷元件。氧化鋅陶瓷是由氧化鋅晶粒及晶界物質組成的,其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質而呈N型半導體,晶界物質中含有大量金屬氧化物形成大量界面態,這樣每一微觀單元是一個背靠背肖特基勢壘,整個陶瓷就是由許多背靠背肖特基墊壘串并聯的組合體。
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