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氧化鋅壓敏電阻在交流電壓作用下的老化:
當施加交流電壓一定時間后,氧化鋅壓敏電阻的U-I特性曲線發生對稱變化,除了特性曲線的變化是對稱的特點外,改變的趨勢與施加直流電壓的趨勢相近。試驗時所施加的交流電壓梯度為65V/mm,溫度為70℃。試驗還表明,不論是直流還是交流作用電壓,老化試驗后壓敏電阻U-I 特性在預擊穿區(即低電場區域)的變化程度要比擊穿區即(中電場區域)大得多。
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壓敏電阻交流作用下的老化機理
交流作用下。在正半周時,假設右側為正極性,電壓主要加在右側的耗盡層上,使右側的Zni向晶界遷移,而左側所加電壓很低,Zn
i向晶粒內遷移不大;在負半周,電壓主要加在左側,使左側Zni向晶界遷移,右側這時所加電壓很低,Zni向晶粒體內遷移不大。總的結果是左右兩側的Zni都向晶界遷移。
源林電子是一家專業研發、生產壓敏電阻的高科技電子元器件企業。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器,自有研發團隊,廠家直銷!
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ZnO壓敏電阻器的限壓原理:
VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其中VS為浪涌電壓,Zsourc為浪涌電壓源的阻抗,如傳輸線的電阻或線圈的電感等,ZSIOV
為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估,因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分,其阻抗比低頻時大得多。
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