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介電特性:
壓敏電阻器類似一邊界層電容器,視在介電常數很高。介電常數和介電損耗與頻率,溫度和所加的電壓有關,在30-106°C的溫度范圍內,介電常數隨溫度升高而增大;介電常數隨頻率升高而下降;電容在低電場區域隨所加電壓的增加而降低,進入中電場區域隨電壓增大而急劇上升。
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低電場區域的漏電流
漏電流包括阻性和容性兩部分,交流電壓下容性電流比阻性電流大得多。溫度升高或電場增大,阻性電流增大。壓敏電壓的溫度系數在-10-4/℃—-10-3/℃之間,計算公式如下:
T=dU1mA/(U1mAdT)
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ZnO壓敏電阻器的結構:
晶粒體為電阻率很低的半導體,晶界為絕緣體,類似邊界層電容器,另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同,兩晶粒交界處結構松弛,雜質占據這些位置比占據體內晶格位置的能量低,所以容易在晶界偏析。
源林電子是一家專業研發、生產壓敏電阻的高科技電子元器件企業。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器,自有研發團隊,廠家直銷!
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