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壓敏電阻直流作用下的老化機理

直流作用下。反偏壓側的Zni向晶界遷移，中和了部分VZn，使表面受主態(tài)密度下降，勢壘降低，阻性電流增大。直流電壓作用下的老化不對稱，是因為測試電壓極性如與老化時加的電壓一致，電壓主要加在正極性側的耗盡層上，而這一側可遷移的填隙鋅離子已不多；如極性相反，則電壓主要加在另一側的耗盡層上，而這側有大量的填隙鋅離子，所以阻性電流大。

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低電場區(qū)域的漏電流

漏電流包括阻性和容性兩部分，交流電壓下容性電流比阻性電流大得多。溫度升高或電場增大，阻性電流增大。壓敏電壓的溫度系數(shù)在-10-4/℃—-10-3/℃之間，計算公式如下：

T=dU1mA/(U1mAdT)

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預擊穿區(qū)：是指在此區(qū)域內，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，其導電屬于熱激發(fā)電子電導機理。因此，壓敏電阻器相當于一個10MΩ以上的絕緣電阻，這時通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級，可看作為開路。該區(qū)域是電路正常運行時壓敏電阻器所處的狀態(tài)。

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